Yüksək çözünürlüklü optik spektroskopiya ilə araşdırılan yüksək anizotrop üçlü TlGaSe2 kristallarında faza keçidləri
DOI:
https://doi.org/10.52171/herald.279Anahtar Kelimeler:
iki ölçülü materiallar- laylı yarımkeçiricilər- kristal qəfəs dinamikası- faza keçidləri- üçlü xalkogenidlər- fononlar- infraqırmızı radiasiyaÖzet
TlGaSe2 kristallarının infraqırmızı və terahertz spektroskopiyası geniş temperatur aralığında (3 325 K) tədqiq edilmişdir. TlGaSe2 spektrlərində T = 120 K temperaturunun altındakı yeni fonon rejimlərinin meydana gəlməsi, struktur faza keçidinə görə aşkar edilmişdir; tədqiq olunan kristalın fonon parametrləri 30 K, 60 K və 92,5 K temperaturda xüsusiyyətləri aşkar etmişdir. 60 K-də bəzi fonon rejimlərinin parçalanması, iki qütb alt sandıq arasındakı qarşılıqlı əlaqənin artması ilə əlaqədar simmetriyanın pozulması səbəbindən baş verə bilər.
Downloads
Yayınlanmış
2025-09-11
How to Cite
Paşayev, A., Əsgərov, K., & Allahverdiyev, K. (2025). Yüksək çözünürlüklü optik spektroskopiya ilə araşdırılan yüksək anizotrop üçlü TlGaSe2 kristallarında faza keçidləri. “Azərbaycan Mühəndislik Akademiyasının Xəbərləri, 17(3), 7–14. https://doi.org/10.52171/herald.279
Sayı
Bölüm
Articles
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
